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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型MOS場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。其具有高輸入阻抗，低導通壓降，高速開關(guān)特性和低導通狀態(tài)損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應(yīng)用。
2023-05-17 http://www.nimazhi.cn/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
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