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[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結(jié)構(gòu)的方法復雜且昂貴。尤其是由于功能結(jié)構(gòu)較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結(jié)構(gòu)的成本高昂且過程復雜。此外，功能結(jié)構(gòu)與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結(jié)，這些工藝可能在功能結(jié)構(gòu)和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://www.nimazhi.cn/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://www.nimazhi.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強度介紹

陶瓷材料的彎曲強度是金屬化陶瓷基板的一項重要性能，因為它在裝配過程中影響到基板的可靠性和強度。彎曲強度通常表征為陶瓷對拉伸強度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://www.nimazhi.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://www.nimazhi.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.nimazhi.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://www.nimazhi.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設(shè)計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://www.nimazhi.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導熱性、絕緣性、機械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://www.nimazhi.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://www.nimazhi.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://www.nimazhi.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行業(yè)動態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應(yīng)商和主機廠經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品。汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機演變?yōu)殡妱訖C，功率半導體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強，應(yīng)用在800V平臺中能夠產(chǎn)生更高的系統(tǒng)優(yōu)勢，可以達到充電快和續(xù)航里程遠的綜合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機控制器的純電動汽車，開創(chuàng)碳化硅陶瓷基板應(yīng)用的先河?；?IGBT 的諸多優(yōu)勢，在 Model 3 問世之前，市面上的新能源車均采用 I

2022-10-27 http://www.nimazhi.cn/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[常見問題]多種基板對比!氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

多種基板對比--氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展至今，可供選用的散熱基板包括環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板等。那么今天小編就來對比一下哪種基板在LED散熱中勝出，更受歡迎。LED封裝不斷向著高效率、高密度、大功率方向發(fā)展，對基板的散熱能力、載流能力、絕緣性能提出了更高的要求。以下分享一下環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板的優(yōu)劣看看哪種更適合LED功率器件。1，環(huán)氧樹脂覆銅基板環(huán)氧樹脂覆銅基板是傳統(tǒng)電子封裝中應(yīng)用最廣泛的基板。它起到支撐、導電和絕緣三個作用。其主要特性有：成本低、較高的耐吸濕性、密度低、易加工、易實現(xiàn)微細圖形電路、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但由于FR－4的基底材料

2022-10-27 http://www.nimazhi.cn/Article/duozhongjibanduibi.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機械性能非常好，硬度強，耐磨損，導熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強硬度和導熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現(xiàn)層級互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反

2022-10-18 http://www.nimazhi.cn/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[常見問題]雙面陶瓷覆銅基板制作和價格

雙面陶瓷覆銅基板制作和價格雙面陶瓷覆銅基板通常是用于器件的載板，一方面起到承載和支持的作用，另一方面實現(xiàn)層級電路導通，導熱，散熱等效果。那么雙面陶瓷覆銅基板怎么制作的，價格怎么樣呢？一，雙面陶瓷覆銅基板制作工藝雙面陶瓷覆銅基板制作工藝有多種可以選擇，企業(yè)可以根據(jù)自身產(chǎn)品的性能要求，結(jié)合市場陶瓷覆銅板的制程能力水平設(shè)計圖紙和工藝要求來制作。雙面陶瓷覆銅基板目前主流的制作工藝有DPC鍍銅工藝、DBC燒結(jié)銅工藝、AMB活性釬焊工藝。DPC鍍銅工藝，線路層較薄，圖形精密度高、可以實現(xiàn)精密線路，金屬過孔等制作要求，大功率封裝基板多采用這種工藝；DBC陶瓷覆銅工藝，可做較厚線路層，耐熱性較好，比較適合大功率、大溫度變化的功率器件；AMB工藝，活性釬焊工藝，銅層均勻，可實現(xiàn)多次焊

2022-10-13 http://www.nimazhi.cn/Article/shuangmiantaocifuton.html
[行業(yè)動態(tài)]覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉

覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉覆銅陶瓷基板也叫陶瓷覆銅板，在陶瓷基片的表面金屬化銅工藝，用來做為器件載板，同時事先層級電路連接，導熱導電等功能。那么覆銅陶瓷基板都應(yīng)用用到哪些領(lǐng)域呢？一，覆銅陶瓷基板應(yīng)用到新能源汽車產(chǎn)品電子控制系統(tǒng)是電動汽車的關(guān)鍵部件，其主要組成部分包括系統(tǒng)集成與軟件、芯片與特殊器件、IGBT模塊、車用傳感器、電子控制模塊與連接器、繼電器等。而IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是整個電子控制系統(tǒng)的“中樞神經(jīng)系統(tǒng)”，是驅(qū)動系統(tǒng)的核心，占控制器總成本的40%~50%。陶瓷覆銅板是銅-陶瓷-銅“三明治”結(jié)構(gòu)的復合材料，它具有陶瓷的散熱性好、絕緣性高、機械強度高、熱膨脹與芯片匹配的特性，又兼有無氧銅電流承載能力強、焊接和鍵合性能好、熱導

2022-10-11 http://www.nimazhi.cn/Article/futongtaocijibandeyi.html
[常見問題]覆銅陶瓷基板上市企業(yè)有哪些

覆銅陶瓷基板上市企業(yè)有哪些做陶瓷覆銅基板一定要找上市公司嗎？上市公司相對來說實力較為雄厚，在研發(fā)方面的投入會比較多，技術(shù)更新會比價先進一些。選擇一個什么樣的覆銅陶瓷基板廠家更適合自己產(chǎn)品的交期和生產(chǎn)計劃呢?一，目前已經(jīng)上市的覆銅陶瓷基板企業(yè)江蘇富樂華半導體科技股份有限公司由上海申和投資有限公司控股，是專業(yè)從事功率半導體覆銅陶瓷載板（AMB、DCB和DPC）的集研發(fā)、制造、銷售于一體的先進制造業(yè)公司，主要以服務(wù)半導體領(lǐng)域主。二，如何選擇合適的覆銅陶瓷基板廠家覆銅陶瓷基板廠家選擇主要還是要結(jié)合自身的產(chǎn)品交期，品質(zhì)要求，加工難度，數(shù)量要求、服務(wù)等綜合評估。比如樣品打樣，交期要求較為緊湊的，在選擇符合制程能力的前提下，選擇交期較快的中小型覆銅陶瓷基板廠家反而能夠更快的出貨，實現(xiàn)研

2022-09-16 http://www.nimazhi.cn/Article/futongtaocijibanshan.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.nimazhi.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國家對半導體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢能被第三代半導體選擇和應(yīng)用。一，氮化硅陶瓷基板有著與其他陶瓷基板獨特的優(yōu)勢陶瓷基板材料憑借其極好的耐高溫、耐腐蝕、熱導率高、機械強度高、熱膨脹系數(shù)與芯片相匹配及不易劣化等特性成為大功率、高密度、高溫及高頻器件封裝的首選。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年來，電子電力器件朝大功率、高頻化、高密度、集成化等方向發(fā)展，對器件中陶瓷散熱基板提出了更高要求。與AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.nimazhi.cn/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行業(yè)動態(tài)]碳化硅覆銅陶瓷基板的金屬化銅工藝

碳化硅覆銅陶瓷基板的制作工藝碳化硅覆銅陶瓷基板在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，那么碳化硅覆銅陶瓷基板采用什么工藝制作的呢？碳化硅陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板覆銅方法類似，可以采用DPC電鍍銅工藝以及DBC燒結(jié)銅兩種金屬化工藝。具體采用什么工藝，一個是要考慮銅層厚度，以及性能要求，布線和孔的密度等綜合考慮。一，碳化硅陶瓷基板dpc鍍銅工藝碳化硅陶瓷基板采用高溫dpc電鍍燒結(jié)銅工藝，銅層一般較薄在100um以內(nèi)，也比較適合做精密化線路以及多孔，密集孔等，比較適合做高精密產(chǎn)品。制作成本較高，一般都是以打樣和小批量為主。二，碳化硅陶瓷基板dbc直接覆銅工藝DBC直接覆銅板工藝，一般銅層較厚，銅層100um以上，通過高位燒結(jié)

2022-07-08 http://www.nimazhi.cn/Article/tanhuaguifutongtaocijb.html
[常見問題]先進陶瓷在新能源電動汽車上的應(yīng)用舉例

先進陶瓷在新能源電動汽車上的應(yīng)用舉例長時間的疫情反復、俄烏戰(zhàn)爭帶來的地緣政治危機、全球貨幣放水、能源需求增長、國際石油生產(chǎn)組織成員國的限產(chǎn)措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓對當今油價望而卻步。面對仿佛轉(zhuǎn)眼就能突破十元大關(guān)的油價，曾經(jīng)多數(shù)對新能源汽車持懷疑態(tài)度的用戶也不得不承認，現(xiàn)如今的油價讓新能源汽車的優(yōu)勢較油車性價比提升了不少。那先進陶瓷在電動汽車上如何應(yīng)用的呢？可被應(yīng)用于新能源汽車的先進陶瓷舉例：（1）新能源汽車用陶瓷球：新能源汽車中，陶瓷軸承的應(yīng)用成為一種趨勢。新能源汽車對汽車軸承提出了更多新要求，首先電機軸承相比傳統(tǒng)軸承轉(zhuǎn)速高，需要密度更低、相對更耐磨的材料；同時由于電機的交變電流引起周圍電磁場變化，需要更好的絕緣性減小軸承放電產(chǎn)生的電腐蝕；

2022-06-25 http://www.nimazhi.cn/Article/xianjintaocizaixinne.html

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[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導體器件中的應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

[行業(yè)動態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

[常見問題]多種基板對比!氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

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[行業(yè)動態(tài)]覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉

[常見問題]覆銅陶瓷基板上市企業(yè)有哪些

[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進展

[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板為何會成為第三代半導體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

[行業(yè)動態(tài)]碳化硅覆銅陶瓷基板的金屬化銅工藝

[常見問題]先進陶瓷在新能源電動汽車上的應(yīng)用舉例