陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al₂O₃)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。

陶瓷基板的現(xiàn)狀：材料多樣化、結構集成化

近年來，電動汽車、電力機車以及半導體照明、航空航天、衛(wèi)星通信等進入高速發(fā)展階段，電子器件向大功率化、高頻化、集成化方向發(fā)展，其元器件在工作過程中產(chǎn)生大量熱量，這些熱量如不能及時散去將影響芯片的工作效率，甚至造成半導體器件損壞而失效——對于電子器件而言，通常溫度每升高10℃，器件有效壽命就降低30%~50%。

因此，為保證電子器件工作過程的穩(wěn)定性，對電路板的散熱能力提出了更高的要求。傳統(tǒng)的普通基板和金屬基板不能滿足當下工作環(huán)境下的應用。陶瓷基板具有絕緣性能好、強度高、熱膨脹系數(shù)小、優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和導熱性能脫穎而出，是符合當下高功率器件設備所需的性能要求。

目前，陶瓷基板的主要材料包括氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al₂O₃）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si₃N₄）等。

BeO陶瓷具有較高的熱導率，但是其毒性和高生產(chǎn)成本限制了它的生產(chǎn)和應用。Al₂O₃陶瓷基板因其價格低廉、耐熱沖擊性好已被廣泛應用，但因其熱導率相對較低和熱膨脹率不匹配的問題，已無法完全滿足功率器件向大功率、小型化方向發(fā)展的趨勢。AlN和Si3N4陶瓷基板在膨脹系數(shù)及熱導率方面的優(yōu)勢被認為是未來的發(fā)展方向。

發(fā)展至今，陶瓷基板的結構與制作工藝也多有發(fā)展。目前，陶瓷基板按工藝可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。主要的平面陶瓷基板工藝可分為薄膜陶瓷基板(TFC)、厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接鍵合銅陶瓷基板(DBC)、活性金屬焊接陶瓷基板(AMB)、直接電鍍銅陶瓷基板(DPC)。目前常見的三維陶瓷基板分為高溫共燒陶瓷基板（HTCC）和低溫共燒陶瓷基板（LTCC）。

HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic，高溫共燒陶瓷）：屬于較早發(fā)展的技術，是采用陶瓷與高熔點的W、Mo等金屬圖案進行共燒獲得的多層陶瓷基板。但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂，促使了LTCC的發(fā)展。

LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic，低溫共燒陶瓷）：LTCC技術共燒溫度降至約850℃，通過將多個印有金屬圖案的陶瓷膜片堆疊共燒，實現(xiàn)電路在三維空間布線。

DPC（Direct Plating Copper，直接鍍銅）：是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

全球來看，DPC陶瓷基板廠商主要分布在中國臺灣和大陸地區(qū)。大概在2015年之后，中國大陸也有一些企業(yè)加入到了這個行業(yè)。

DBC（Direct Bonded Copper，直接覆銅）：通過熱熔式粘合法，在高溫下將銅箔直接燒結到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成復合基板。

目前全球DBC陶瓷基板，主要由德國、韓國和中國企業(yè)主導，核心廠商有德國的Rogers和賀利氏，韓國的KCC，中國的江蘇富樂華半導體、合肥圣達、BYD和南京中江等。預計未來幾年，中國企業(yè)將占有更大的市場份額。

AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）：AMB是在DBC技術的基礎上發(fā)展而來的，在 800℃左右的高溫下，含有活性元素 Ti、Zr 的 AgCu 焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合。

AMB陶瓷基板，目前主要也是由德國羅杰斯、日本電化Denka、中國江蘇富樂華半導體科技股份（日本Ferrotec控股）等著三家企業(yè)占有較高份額。其他廠商總體起步較晚，規(guī)模也較小，如國外企業(yè)主要有賀利氏電子、京瓷、東芝材料、同和、韓國KCC、韓國阿莫泰克AMOTECH，國內(nèi)廠商有比亞迪、博敏電子（芯舟）、浙江德匯電子、合肥圣達、北京漠石科技、南通威斯派爾半導體技術有限公司和無錫天楊電子有限公司等。未來幾年，預計氮化硅陶瓷基板（AMB-SiN）將快速增長。

全球陶瓷基板市場火爆，市場規(guī)模穩(wěn)步增長

2022年全球陶瓷基板市場規(guī)模達到了11.3億美元，預計2029年將達到41.5億美元，年復合增長率（CAGR）為18.23%。

其中，2022年全球AMB陶瓷基板市場銷售額達到了4.33億美元，預計2029年將達到28.72億美元，年復合增長率（CAGR）為26.0%（2023-2029）。

2022年全球DBC陶瓷基板市場銷售額達到了4.4億美元，預計2029年將達到8.24億美元，年復合增長率（CAGR）為7.75%（2023-2029）。

2022年全球DPC陶瓷基板市場銷售額達到了2.40億美元，預計2029年將達到3.27億美元，年復合增長率（CAGR）為4.43%（2023-2029）。

2022年全球DBA陶瓷基板市場銷售額達到了0.16億美元，預計2029年將達到1.27億美元，年復合增長率（CAGR）為32.47%（2023-2029）。

國產(chǎn)替代需求愈發(fā)強烈

中國市場在過去幾年變化較快，2022年中國陶瓷基板產(chǎn)量約占全球的35.9%，預計2029年占比將達到54.9%。歐洲是第二大市場地區(qū)，2022年份額為33%，預計2029年為21.99%。日本、東南亞、韓國和中國臺灣也是重要的生產(chǎn)地區(qū)，其中日本是全球最大的AMB陶瓷基板生產(chǎn)地區(qū)，2022年份額為36%，東南亞（日本NGK DBC和AMB產(chǎn)地在馬來西亞，韓國KCC在越南建廠生產(chǎn)DBC）也是重要的DBC和AMB生產(chǎn)地區(qū)。

從全球生產(chǎn)廠家來看，陶瓷基板第一梯隊廠商（按收入計）主要是羅杰斯、富樂華、電化Denka和同欣電子等。其中AMB陶瓷基板核心廠商主要是羅杰斯、富樂華、電化Denka、賀利氏和比亞迪等，DBC方面核心廠商主要是羅杰斯、富樂華、NGK Electronics Devices、合肥圣達和比亞迪等，DPC核心廠商主要是同欣電子，DBA方面主要是三菱綜合材料、同和、電化Denka等，未來幾年預計富樂華和福建華清電子材料科技有限公司在DBA領域占據(jù)重要地位。

目前我國已基本實現(xiàn)對氧化鋁粉體的進口替代。而氮化鋁粉體方面，尤其是氮化鋁粉體，我國尚依賴從日本進口，日本占據(jù)中國市場超60%市場份額。進口粉體產(chǎn)品穩(wěn)定性、精細化程度較好，但價格約為國產(chǎn)普通氮化鋁粉體價格的3倍左右，且存在原材料斷供的風險。氮化硅粉體方面，我國僅有少數(shù)粉體廠商具備量產(chǎn)出貨能力，部分陶瓷基板企業(yè)雖具備生產(chǎn)能力，但多為自用，不對外出售。

因上游關鍵陶瓷粉體制備技術均由日本企業(yè)掌握，且粉體對基板的性能起到?jīng)Q定性作用，所以外企在陶瓷基板的生產(chǎn)上具備天然優(yōu)勢。陶瓷基板市場也在相當長的時間內(nèi)被日本京瓷、日本丸和所壟斷。在國內(nèi)終端需求猛增的背景下，進口陶瓷基板在產(chǎn)品交期、價格方面逐漸無法滿足終端企業(yè)要求，下游廠商對國產(chǎn)陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化替代需求愈發(fā)強烈。