在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結構支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

陶瓷基板主要有平面陶瓷基板及多層陶瓷基板。陶瓷基板按照工藝分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。目前，國內常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。Al2O3陶瓷基板主要采用DBC工藝，AlN陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用AMB工藝。

1、平面陶瓷基板

根據(jù)不同工藝主要分為：薄膜陶瓷基板、厚膜印刷陶瓷基板、陶瓷覆銅基板(直接鍵合銅(DBC)陶瓷基板、活性金屬焊接陶瓷基板、直接電鍍銅陶瓷基板和激光活化金屬陶瓷基板等。

1.1 薄膜陶瓷基板

利用磁控濺射、真空蒸鍍和電化學沉積等工藝在陶瓷基板表面形成金屬層，然后通過掩膜和刻蝕等工藝形成特定的金屬圖形。該工藝具有工作溫度低、布線精度高、金屬層厚度可控以及金屬陶瓷間結合強度高等優(yōu)點。用于薄膜工藝的常用陶瓷基片材料主要有Al2O3、AlN和BeO等。薄膜陶瓷基板主要應用于電流小、尺寸小、散熱要求高、布線精度要求高的器件封裝。

1.2 厚膜印刷陶瓷基板

采用絲網印刷工藝印刷金屬布線層，廣泛應用于共燒陶瓷基板的制備。由于絲網印刷工藝精度有限，印刷電路圖形的精度受到限制。此外，為了降低燒結溫度，提高金屬層與陶瓷基片結合強度，通常在金屬漿料中添加少量玻璃相，這會不可避免地降低金屬布線層的電導率和熱導率。因此厚膜印刷陶瓷基板僅應用于對線路精度要求不高的電子器件封裝。

1.3 陶瓷覆銅基板

是在陶瓷基片上通過不同工藝實現(xiàn)銅板和陶瓷基片的鍵合，從而獲得一種兼具陶瓷和金屬銅優(yōu)點的復合金屬陶瓷基板，同時具有優(yōu)異的熱性能、電性能以及易裝配等特點。陶瓷覆銅板可通過刻蝕形成各種布線電路，廣泛應用于功率模塊封裝中。陶瓷覆銅基板工藝主要有DBC法、活性金屬焊接(AMB)法、直接電鍍銅(DPC)法和激光活化金屬(LAM)法等

1.3.1 DBC陶瓷基板 

是在1000℃以上的高溫條件下，在含氧的氮氣中加熱，使銅箔和陶瓷基板通過共晶鍵合的方式牢固結合在一起，其鍵合強度高且具有良好的導熱性和熱穩(wěn)定性。

1.3.2 AMB陶瓷基板

AMB是DBC工藝的進一步發(fā)展，該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來實現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接，其鍵合強度高、可靠性好。該工藝相較于DBC工藝鍵合溫度低、易操作。

1.3.3 DPC陶瓷基板

利用激光在陶瓷基片上打孔，采用半導體工藝在陶瓷基片上沉積Cu種子層，而后通過電鍍工藝填孔，增厚金屬層，該工藝具有電路精度高且制備溫度低的特點。此外，該工藝還可實現(xiàn)陶瓷基板的垂直互連從而提高封裝密度。

 1.3.4 LAM陶瓷基板

通過激光束加熱活化需要金屬化的陶瓷基板表面，然后通過電鍍或化學鍍形成金屬化布線。該工藝也可應用于三維立體陶瓷。采用激光活化陶瓷技術，因而具有較高的布線精度，而且金屬層與陶瓷基片結合強度高，線路層表面平整。目前主要應用于航空航天領域。

2 多層陶瓷基板

電子器件及電路向著互連密度高和應用環(huán)境多樣化發(fā)展，常規(guī)的平面陶瓷基板開始面臨應用的局限性，為了滿足這些要求，電子陶瓷基板技術開始向著高互連密度發(fā)展。高密度互連陶瓷基片技術主要有:厚膜多層(TFM)技術、高溫共燒陶瓷(HTCC)技術和低溫共燒陶瓷(LTCC)技術。

2.1 TFM

在單體陶瓷基板表面上通過多次厚膜印刷和燒結工藝(或薄膜濺射與刻蝕工藝)來實現(xiàn)多層互連的陶瓷基板技術。該工藝通過多次印刷陶瓷漿料和金屬漿料形成腔體，然而由于每次印刷陶瓷漿料厚度、印刷層數(shù)和印刷對位精度有限，陶瓷基板腔體厚度必然受到限制，該工藝適用于小體積、低互連密度且對精度要求不高的電子器件封裝。

2.2 HTCC

HTCC 技術和 LTCC 技術都是多層共燒陶瓷技術， 通過在每層生瓷片上打孔、 填充金屬漿料和印刷， 最后疊加在一起形成多層導體互連的基板。HTCC陶瓷基板燒結溫度為1400～1500℃，其具有機械強度高、熱導率高、化學性質穩(wěn)定及布線密度高等優(yōu)點。

2.3 LTCC

LTCC陶瓷基板體系有三種:微晶玻璃體系、玻璃陶瓷復合體系和非晶玻璃體系。由于金屬材料電導率高、電性能優(yōu)越，因此可在三維陶瓷基板結構中集成電阻、電容和電感等無源元件。