si3n4 amb基板和鋁基板比較

si3n4 amb基板即amb氮化硅陶瓷基板，是氮化硅陶瓷基片經(jīng)過(guò)amb加工工藝后形成具備高電氣性能、高強(qiáng)度、低膨脹系數(shù)等綜合性能的陶瓷基板，那么si3n4 amb基板和鋁基板比較有什么優(yōu)勢(shì)？

1，兩者材料不同，導(dǎo)熱性不同

si3n4 amb基板（amb氮化硅陶瓷基板）是陶瓷材料，具有非常高導(dǎo)熱性，氮化硅陶瓷導(dǎo)熱性在80w~90w之間，機(jī)械強(qiáng)度高，耐腐蝕、絕緣性好等綜合特征。鋁基板采用的是鋁基片，是有機(jī)材料，韌性較好，但是導(dǎo)熱性能較差，一般導(dǎo)熱系數(shù)只有1~3w,哪怕做成雙面鋁基板采用導(dǎo)熱膠，導(dǎo)熱效果依舊不及AMB氮化硅陶瓷基板。

2，兩者制作工藝不同

si3n4 amb基板（amb氮化硅陶瓷基板）與鋁基板制作工藝不同，amb氮化硅陶瓷基板采用的是amb活性釬焊工藝，具有熱循環(huán)好、金屬結(jié)合力強(qiáng)，可焊性強(qiáng)等特點(diǎn)。鋁基板采用的是和普通FR4相通的制作工藝，可以加工較長(zhǎng)的電路板，但是氮化硅陶瓷基板加工尺寸相對(duì)較小，長(zhǎng)寬往往不超過(guò)120mm。

3，兩者應(yīng)用領(lǐng)域不同

si3n4 amb基板（amb氮化硅陶瓷基板）與鋁基板的應(yīng)用領(lǐng)域不同，AMB氮化硅

陶瓷基板應(yīng)用在汽車電子如逆變器、減振器都能產(chǎn)品，激光設(shè)備、交通軌道、大功率半導(dǎo)體、航空航天等產(chǎn)品領(lǐng)域、鋁基板多用在功率較低的LED功率照明等產(chǎn)品上面。

4，兩者交期不同，費(fèi)用差距較大

si3n4 amb基板（amb氮化硅陶瓷基板）與鋁基板制作交期不同，氮化硅陶瓷基板制作交期相對(duì)較長(zhǎng)，打樣一般要十幾天，費(fèi)用較高，一般打樣一款要幾千甚至上萬(wàn)。鋁基板制作相對(duì)較快，快的幾天就可以出貨，費(fèi)用相對(duì)較為便宜。

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