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amb陶瓷覆銅板與第三代半導體

amb陶瓷覆銅板

                                      amb陶瓷覆銅板與第三代半導體

 第三代半導體的崛起與應(yīng)用,半導體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展,對封裝性能也提出了更高要求。AMB陶瓷覆銅板吻合了第三代半導體的市場和性能要求。

一,AMB陶瓷覆銅板的優(yōu)勢

      AMB陶瓷覆銅板,是陶瓷基片經(jīng)過AMB活性釬焊工藝后陶瓷表面形成一種高附著力,結(jié)合力的銅層,從而具備導熱性強、機械性能好、能承載大電流、大功率、絕緣性好的綜合電氣性能的陶瓷覆銅板。AMB陶瓷覆銅板目前核心的材料有氮化鋁陶瓷基和碳化硅陶瓷基片。

amb氮化鋁陶瓷基板.jpg

二,第三代半導體市場市場前景

 由于第三代半導體材料領(lǐng)域?qū)儆谇把仡I(lǐng)域,市場前景廣闊,但也存在專業(yè)壁壘高的特征,對行業(yè)內(nèi)參與者和廣大投資者的專業(yè)要求也較高,第三代半導體材料領(lǐng)域,碳化硅是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料。碳化硅半導體器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點,具有開關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢,可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。目前,碳化硅半導體主要應(yīng)用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、充電樁等“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域,具有廣闊可觀的市場前景。碳化硅陶瓷覆銅板、氮化硅陶瓷覆銅板在半導體領(lǐng)域用處最廣泛。更多amb陶瓷覆銅板的相關(guān)問題可以咨詢金瑞欣特種電路。

    


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通過公司研發(fā)團隊的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術(shù),以便為更多需求的客戶服務(wù),開拓列廣泛的市場。

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