Si3N4陶瓷斷裂韌性受哪些因素影響

Si3N4陶瓷作為一種重要的結構陶瓷材料，具備優(yōu)異的力學和抗熱震性能(在空氣中加熱至1000℃以上，再急劇驟冷急劇加熱也不會碎裂)。由于Si3N4具備優(yōu)異的綜合性能，已被廣泛應用于冶金、宇航、能源、機械、軍事技術、光學和玻璃工業(yè)等領域。Si3N4是強共價鍵化合物，具有高的原子結合強度，表現(xiàn)出優(yōu)異的綜合性能。此外，由于共價鍵具有方向性和飽和性，由共價鍵組成的Si3N4陶瓷滑移系很少，通常在產生滑移前就發(fā)生斷裂，導致Si3N4陶瓷表現(xiàn)出明顯的脆性特點。

Si3N4陶瓷的斷裂韌性低，對材料內部的局部裂紋非常敏感，已成為Si3N4陶瓷的致命缺點， 嚴重影響了其使用壽命和可靠性，極大限制了其應用范圍。那么影響Si3N4陶瓷斷裂韌性的因素有哪些呢？

     原料粉體對斷裂韌性的影響

     1.Si3N4粉體對斷裂韌性的影響

由于Si3N4陶瓷的制備工藝主要以粉末為原料，經壓坯、燒結后獲得致密的陶瓷體。因此，Si3N4粉體的特征對燒結過程和最終性能起到至關重要的作用。Si3N4粉體主要有α-Si3N4相和β-Si3N4相兩種。當粉體中β相含量>30vol.%.時，在燒結溶解—再析出階段的驅動力減少，氮化硅陶瓷致密化過程受到抑制；且陶瓷的顯微結構主要由較細的等軸晶粒組成，不利于獲得高斷裂韌性。使用α-Si3N4作為初始粉體更有利于制備高強度、高韌性的Si3N4陶瓷，因為α-Si3N4在液相燒結中發(fā)生溶解—再析出反應形成β-Si3N4，在后續(xù)晶粒粗化階段中，β-Si3N4 的各向異性生長會形成自增韌的顯微結構，提高Si3N4陶瓷的致密度和韌性。

Si3N4陶瓷原料粉體中的α相含量、氧含量和碳含量都會影響Si3N4燒結體的斷裂韌性。此外，采用不同方法制備的Si3N4粉體具有不同的比表面積，對Si3N4陶瓷的最終性能也有一定的影響。因此，選用高α相、低氧、低碳含量和合適比表面的Si3N4粉體是獲得高斷裂韌性Si3N4陶瓷的關鍵因素。

2.燒結助劑對Si3N4陶瓷韌性影響

Si3N4是一種強共價鍵化合物，需要引入燒結助劑形成液相燒結才能致密。在液相燒結過程中， 燒結助劑通過與氮化硅表面的SiO2反應形成液相，而不同種類的燒結助劑形成的液相、粘度不同，形成的晶粒大小和分布以及晶界相有所差異，對Si3N4陶瓷韌性會產生不一樣的影響。

燒結過程中Si3N4陶瓷α→β相變速率、晶粒的生長和長徑比、晶間相都會受到稀土燒結助劑RE2O3的影響。因此，通過控制燒結助劑的種類和含量來制備高斷裂韌性的Si3N4陶瓷是一種可行的方法。

制備工藝對Si3N4陶瓷韌性影響

1.燒結工藝對Si3N4陶瓷韌性影響

熱壓燒結(Hot Pressing Sintering, HPS)是一種在燒結過程中施加機械壓力的燒結方法，機械 壓力能增加燒結驅動力，對于Si3N4共價鍵難燒 結陶瓷在添加少量燒結助劑的情況下也能達到 致密效果，是一種有效的致密化燒結方法。通過熱壓燒結的Si3N4陶瓷斷裂韌性一般在6 MPa·m1/2～7MPa·m1/2。

氣壓燒結(Gas Pressure Sintering, GPS) 是指Si3N4陶瓷在高溫燒結中通入1MPa～10MPa氣體(N2, Ar2)壓力，在高溫高壓環(huán)境下能有效抑制 Si3N4陶瓷分解。同時，Si3N4陶瓷迅速致密，促進α→β的轉變。

放電等離子燒結(Spark Plasma Sintering, SPS)是綜合壓力場、溫度場和電流場的快速燒結技術，能有效提高燒結升溫速率，縮短燒結時間。

除上述燒結方式外，燒結溫度、升溫速率等工藝都會對Si3N4斷裂韌性產生影響。不同的燒結工藝都可以制備出高強韌的Si3N4陶瓷，但在實際生產中還需考慮成本、 制件結構和周期等問題。因此，根據(jù)實際情況制 定合理的燒結工藝是制備高強韌的Si3N4陶瓷關鍵的一步。

2.Si3N4陶瓷織構化對斷裂韌性的影響

β-Si3N4具有獨特的長棒狀結構，在平行和垂直于c軸方向上的表面性能都存在各向異性，如下圖所示。

在外界施加一定的力和磁場可使其在c軸方向上產生定向排列，在保證了Si3N4陶瓷原有性能的基礎上還能使沿c軸方向的性能增加。目前，制備織構化Si3N4陶瓷主要有三種方法：熱加工法、模板晶粒法和磁場法。

 熱加工法包括熱壓法、熱鍛法和燒結—鍛造法。如上文所述，熱壓法是通過熱壓燒結實現(xiàn)Si3N4陶瓷織構化。這里主要介紹熱鍛法和燒結—鍛造法。在熱鍛法中，Si3N4陶瓷首先通過普通燒結(無壓、氣壓燒結等)獲得一定的晶粒尺寸和致密度， 然后將坯體置于熱壓爐中，在高溫燒結中施加單向壓力，使坯體中無序排列的晶粒定向排列。燒結—鍛造法是基于熱鍛法提出的織構化方法，利用干壓和冷等靜壓對坯體進行成型，再在熱壓爐燒結過程中施加單軸壓力，最終可獲得織構化陶瓷。

模板晶粒法是指在原料粉體中加入β-Si3N4晶種，利用擠出成型和流延成型工藝使β-Si3N4晶種在坯體成型過程中就已經形成定向排列，在燒結過程中，β-Si3N4晶種長大，最終形成織構化Si3N4陶瓷。

強磁場法是指利用強磁場對漿料中的Si3N4晶粒定向排列。有研究指出磁通密度、漿料 的流變性和轉速都會對Si3N4陶瓷織構化產生影響。但是，磁場法需要的設備昂貴，目前多用于 制備高熱導Si3N4陶瓷，但只停留在實驗室階段。更多（Si3N4）氮化硅陶瓷基板相關問題咨詢金瑞欣特種電路。

文章來源：

高韌性氮化硅陶瓷研究進展-鄒文勁，楊 平，呂東霖，褚駱靖