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DPC陶瓷基板金屬化層結(jié)合力的影響因素與解決方案

DPC陶瓷基板

隨著大功率電子器件向小型化、高頻化發(fā)展,直接鍍銅陶瓷基板(DPC)因其高導(dǎo)熱性、高精度線路及低溫工藝優(yōu)勢(shì),成為封裝領(lǐng)域的核心材料。然而,金屬化層與陶瓷基體的結(jié)合力不足,仍是制約DPC可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從材料、工藝及界面設(shè)計(jì)角度,系統(tǒng)分析影響結(jié)合力的核心因素,并提出針對(duì)性解決方案。

DPC雙面氮化鋁陶瓷板12620.jpg

一、影響DPC金屬化層結(jié)合力的核心因素

1. 陶瓷基片表面狀態(tài)

陶瓷基片的表面粗糙度、清潔度及化學(xué)活性直接影響金屬層的附著機(jī)制。首先,陶瓷表面適度粗化(粗糙度Ra0.3μm)可通過(guò)機(jī)械嵌合效應(yīng)增強(qiáng)與金屬化層的結(jié)合力,但過(guò)度粗糙會(huì)導(dǎo)致電鍍液殘留和氣孔缺陷。其次,陶瓷基片表面的殘留污染物(如氧化物、有機(jī)物)會(huì)阻礙金屬原子與陶瓷表面的化學(xué)鍵合,可通過(guò)等離子清洗或酸洗工藝去除。再次,譬如AlN陶瓷表面易形成氧化鋁層,可通過(guò)預(yù)氧化處理(如850℃熱處理)生成Al?O?過(guò)渡層,來(lái)提升與金屬的潤(rùn)濕性。

AIN陶瓷預(yù)氧化處理.png

2. 過(guò)渡層材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

過(guò)渡層是連接陶瓷與銅層的關(guān)鍵界面,其選擇直接影響化學(xué)鍵合與熱應(yīng)力分布。由于Ti、Cr等活性金屬因高擴(kuò)散系數(shù)和強(qiáng)氧化傾向,可形成穩(wěn)定的TiN、Cr?O?等化合物,提升界面結(jié)合強(qiáng)度。此外,還可以采用多層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),即采用梯度過(guò)渡層(如Ti/CuCr/Ni/Cu)可緩解熱膨脹系數(shù)差異,降低界面應(yīng)力。有研究表明,Ti/Cu雙層結(jié)構(gòu)可使結(jié)合力提升至15N/mm2以上。

3. 金屬沉積工藝參數(shù)

PVD(物理氣相沉積)與電鍍工藝的協(xié)同控制是結(jié)合力優(yōu)化的核心。PVD濺射參數(shù)有濺射功率(>5kW)、基板溫度(200-300℃)及真空度(<5×10?3Pa),濺射工藝參數(shù)會(huì)直接影響金屬薄膜的致密度與結(jié)晶取向。需要注意的是,過(guò)高的功率可能會(huì)導(dǎo)致膜層內(nèi)應(yīng)力積累。電鍍填孔時(shí),合適的脈沖電鍍參數(shù)(推薦占空比30%-50%,頻率1kHz),可提高通孔填充率至95%以上,減少孔內(nèi)的空洞缺陷。

4. 陶瓷與金屬材料的熱膨脹系數(shù)失配

陶瓷(AlN的熱膨脹系數(shù)4.5×10??/℃Al?O?的熱膨脹系數(shù)6.8×10??/℃)與銅(17×10??/℃)的存在較大的熱膨脹差異,會(huì)導(dǎo)致DPC陶瓷基板在熱循環(huán)下出現(xiàn)金屬化層與陶瓷的界面剝離問(wèn)題。研究表明,當(dāng)溫度變化超過(guò)150℃時(shí),AlNDPC陶瓷基板界面剪切應(yīng)力可達(dá)200MPa,遠(yuǎn)超多數(shù)過(guò)渡層的抗拉強(qiáng)度。

二、提升結(jié)合力的關(guān)鍵技術(shù)方案

1. 表面預(yù)處理工藝優(yōu)化

l 激光微結(jié)構(gòu)加工:采用飛秒激光在陶瓷表面制備微坑陣列(直徑10-20μm,深度5μm),通過(guò)機(jī)械鎖合效應(yīng)使結(jié)合力提升30%。

l化學(xué)活化處理:使用HF-NaOH混合溶液蝕刻AlN表面,暴露更多Al活性位點(diǎn),促進(jìn)Ti/Al界面反應(yīng)生成Al?Ti金屬間化合物。

 

2. 界面過(guò)渡層創(chuàng)新設(shè)計(jì)

l納米復(fù)合過(guò)渡層:可在Ti層中摻雜納米Al?O?顆粒(粒徑50nm),可降低熱膨脹系數(shù)差異,同時(shí)通過(guò)釘扎效應(yīng)抑制裂紋擴(kuò)展。

l非晶態(tài)金屬層:采用磁控濺射制備非晶Cr層(厚度100nm),其無(wú)晶界結(jié)構(gòu)可均勻分散應(yīng)力,使界面結(jié)合力提高至20N/mm2。

 

3. 鍍膜與電鍍工藝協(xié)同調(diào)控

l低溫高能濺射技術(shù):引入離子輔助沉積(IAD),在150℃以下制備高密度Ti膜,減少熱應(yīng)力對(duì)陶瓷基板的損傷。

l梯度電鍍工藝:采用分段電流密度(0.5-3A/dm2)控制銅層晶粒尺寸,表層納米晶(<50nm)可提高抗疲勞性能。

4. 后處理工藝強(qiáng)化

l退火處理:在H?/N?混合氣氛中(400℃×2h)退火,促進(jìn)Cu/Ti界面擴(kuò)散,形成連續(xù)固溶體結(jié)構(gòu),結(jié)合力提升25%。

l表面合金化:在銅層表面電鍍Ni-P合金(厚度2μm),其低熱膨脹系數(shù)(13×10??/℃)可緩沖熱應(yīng)力。

 


深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司

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通過(guò)公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術(shù),以便為更多需求的客戶服務(wù),開(kāi)拓列廣泛的市場(chǎng)。

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